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フェアチャイルド
セミコンダクター プレスリリース
www.fairchildsemi.com
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2010年1月28日
携帯機器の電池寿命を延ばすIntelliMAXロードスイッチ
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、携帯医療機器やデジタルカメラ、GPSユニット、ノートブックPC、携帯電話などに必要な、低消費電力で、かつ保護機能を有したスイッチを、小型パッケージにて提供しています。 |

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2009年11月25日
MicroFET™薄型パッケージ、バッテリー充電・マルチ電源アプリケーションへ向けて開発
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、小型携帯機器に最適な、業界トップクラスの薄型MicroFETパッケージ製品を発表しました。多くのお客様の要望に応え、バッテリー充電やマルチ電源アプリケーション向けに、単一パッケージで効率、熱特性に優れた、Pch
MOSFETとショットキーダイオードの複合デバイスを開発しました。 |

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2009年10月23日
カメラモジュール向けスイッチソリューションを提供
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、3Gスマートフォン、携帯電話、セットトップボックス、防犯カメラ、ノートPC等の設計の要求に応えるカメラスィッチを発表しました。 |

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2009年10月19日
業界最小で多様なマルチメディア機能に対応するUSBアクセサリスイッチを発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、携帯電話、PDA、MP3プレーヤー等に最適なUSBスイッチを発表しました。FSA800は、主なマルチメディアの全機能を薄型UMLPパッケージ(1.8mm
x 2.6mm x
0.55mm)に集積した最小のUSBスィッチです。FSA800は、チャージャ検出内蔵、28Vの過電圧耐性、終端抵抗内蔵とネガティブ・スウィングを提供します。小型パッケージに様々な機能を統合することにより、ポータブル機器設計においての外部部品を簡素化し、低減します。 |

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2009年10月2日
昇圧DC/DCコンバータ回路用ブーストスイッチを発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、携帯電話や各種ポータブル機器、民生機器に適した、高効率の昇圧回路を可能にするブーストスィッチを発表しました。「FDFME3N311ZT」は、30VのN-Channel
PowerTrench®MOSFETとショットキーダイオードを1つのパッケージに統合したもので、非常に小さい入力容量(55pF)と総ゲートチャージ(1nC)によって、昇圧回路の効率を大きく改善します。 |

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2009年9月28日
プリンター、デジタルカメラ、ポータブル機器における通信を拡張するメモリスイッチを発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、携帯電話、デジタルカメラ、ポータブル機器に適したメモリスイッチ2製品、FSSD06とFSSD07を発表しました。このFSSD06とFSSD07は、SDカード(SD)、SDIO(Secure
Digital I/O)、MC(Multimedia
Card)などの周辺機器と一般のプロセッサとの通信を拡張します。 |

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2009年9月24日
1080p
HDに対応する初の高集積ビデオフィルタを発表 フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、HD
LCD-TV、ブルーレイDVDプレイヤ、セットトップボックスに最適な、1080p
HDに対応する画期的なビデオフィルタ、FMS6303を発表しました。FMS6303は、SDから1080p
HDまで幅広く選択可能な高集積ビデオフィルタであり、製品設計者に柔軟性を提供します。
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2009年9月17日
30V、Power56パッケージMOSFETでオン抵抗1mΩ以下を実現 フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、サーバー、ブレードサーバー、及びルーター等のアプリケーションに最適な、1mΩ以下の30V MOSFETを、初めてPower
56パッケージで実現しました。「FDMS7650」は、ロードスイッチやORリング回路に最適です。 |

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2009年9月14日
単一LED用プログラマブルドライブICを発表 フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、携帯電話や各種携帯機器、民生機器、産業機器等で使用可能な、LEDドライブIC「FAN5646」を発表しました。この製品は、LEDの明滅パターンを容易にプログラム可能なため、多彩な視覚効果を実現することが可能です。このFAN5646を使用することによって、LED明滅のためにマイクロプロセッサを動作させ続ける必要は無くなります。 |

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2009年9月9日
超低オン抵抗(RDS(ON))の20V Pch MOSFET
を発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、携帯電話、ポータブル機器、コンシューマー機器などに最適な、1mm
x 1mm WL-CSPパッケージで提供される超低オン抵抗(RDS(ON): -4.5V時75mΩ)20V Pch
MOSFET「FDZ371PZ」を発表しました。この FDZ371PZ は、フェアチャイルド独自のPowerTrench®
プロセス技術で設計されています。
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2009年9月7日
新世代Super-Junction MOSFETs_SupreMOS™を発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、電源、照明、ディスプレイ、産業機器などに最適な新世代
600V Super-Junction
MOSFETs-SupreMOSを発表しました。この低オン抵抗とトータルゲートチャージの組み合わせにより、前世代の600V Super
FET MOSFETに比べ40%低い性能指数(FOM)を実現しました。オン抵抗165mΩMAXの FCP22N60N /
FCPF22N60NT / FCA22N60N と199mΩMAXの FCP16N60N /
FCPF16N60NTは、共振コンバーター、LLC、及び位相シフトブリッジ方式などのスイッチモード電源(SMPS)の信頼性を高める、クラス最高の逆回復特性
di/dt とdv/dt を提供します。 |

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2009年8月4日
超低オン抵抗(RDS(ON))のP-ch MOSFET を発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、スマートフォン、携帯電話、ネットブック、医療用またはその他のポータブル機器向けに最適な、より高い電力効率および小型化を可能にするシングル
P-ch MOSFET「FDZ197PZ」を発表しました。この FDZ197PZ は、VGS= -4.5V時、オン抵抗
64mΩで、従来のソリューションよりも15%低いオン抵抗を提供します。 |

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2009年7月24日
IntelliMAX™
デザインツールを発表 フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、ポータブル機器の実際のアプリケーション回路における最新のロードスイッチの特性を迅速かつ正確に評価をウェブ上で行えるシミュレーションツール「IntelliMAX
デザインツール」を発表しました。このデザインツールは、他のシミュレーションツールとは違い、あらかじめ設定されたアプリケーション回路にフェアチャイルドの最新ロードスイッチのモデルが組み込まれており、ユーザーにとって直感的で分かりやすい環境をご提供しています。 |

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2009年7月22日
RFパワーアンプ用DC-DCコンバータを発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、3G携帯電話やワイヤレス・データカード向けの業界最小パワーマネジメント・ソリューション「FAN5902」を発表しました。この
FAN5902
RFパワーアンプ用DC-DCコンバータは、小型の0.5uHチップ・インダクタ、動作周波数6MHz、12バンプ・0.5mmピッチのCSPパッケージで提供されることにより、スペースの縮小と部品コストの削減を実現します。 |

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2009年7月10日
高精度な過電流保護を提供するIntelliMAX®デュアル・スイッチを発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、STB、ノートPC、ネットブック、超小型携帯機器に最適な、ロードスイッチの新しいファミリ「FPF23xx」を発表しました。デュアル構成を1パッケージ化したこれらの製品は、高精度な過電流保護(15%)を提供し、設計の簡素化、製品の市場化時間の短縮を実現します。この高精度な過電流保護により、通常動作性能を損なわずに、システムの最大動作電流を削減することで、部品サイズの小型化やアプリケーション評価を容易にします。
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2009年7月8日
同期整流型コンバータ・アプリケーションにおいて高効率かつ高い電力密度を実現する Dual MOSFETを発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、ノートブック、ネットブック、サーバー、テレコム、およびその他のDC-DC設計に最適な、高効率・高電力密度を提供する最新のデュアルMOSFET「FDMC8200」を発表しました。このFDMC8200
は、フェアチャイルドの最新技術であるPowerTrench®7 MOSFETを用い、最適化されたハイサイドとローサイドの30V N-ch
MOSFETを1個の3mm x 3mm
MLPパッケージに統合することにより、省スペースと優れた熱特性を提供します。この技術は極めて優れた低オン抵抗(RDS(ON))、トータル・ゲート・チャージ(QG)、ミラーチャージ(QGD)を提供し、伝導損失およびスイッチング損失を最小化することで高い電力効率を実現します。また、主な特性である24mΩ(ハイサイド)および9.5mΩ(ローサイド)のオン抵抗(RDS(ON))が、コンピューティング・アプリケーション向けに9Aを超える電流を提供することを可能にし、さらに、最適化されたピン配置とフットパターンにより、容易なレイアウトや配線、および設計の簡素化を実現します。 |

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2009年6月29日
ヒートシンクなしで30Wの出力を管理するGreen FPS スイッチを発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、ヒートシンクなしで30Wまでの出力を管理することができる、高度に統合されたFPS
(フェアチャイルド・パワー・スイッチ)「FSFM300」を発表しました。8-DIPパッケージで提供され、LCDモニター、TV、STB、DVDプレーヤーなどのアプリケーションに最適な製品となっています。ヒートシンクを取り除くことにより、LCDモニターの薄型化を可能にし、全体の設計コストを削減することができます。このFSFM300は高度に統合されたGreen
FPS 製品で、PWM、およびアバランシェ耐性をもつ
SenseFETを、熱効率とコストパフォーマンスの良い8-DIPパッケージに内蔵しています。SenseFET
を内蔵させることにより、代替ソリューションと比較して、全体のシステムコストを削減しつつ部品点数の削減および設計時間の短縮を実現します。 |

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2009年6月17日
ポータブル機器向け 業界初のカメラ絶縁スイッチを発表
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、3Gスマートフォン、ネットブック、STB、ノートPCに最適な、信号品位を維持するための寄生素子を絶縁する業界初のイメージ・モジュール・スイッチ「FSA1211」を発表しました。このFSA1211は、デュアルカメラ・アプリケーションにおいて、高速バスを寄生素子から絶縁する、12ポート、単極単投(SPST)のアナログスイッチです。携帯電話やスマートフォンに搭載されたデュアルカメラは、ますます高画質化しているので、寄生素子の影響による信号劣化と不要なEMI発生の抑制は、重要な課題となっています。 |

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