MicroFET™薄型パッケージ
バッテリー充電・マルチ電源アプリケーションへ向けて開発

業界トップクラスの薄型MicroFETパッケージ「FDFMA2P859T」
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2009年11月25日

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都千代田区、社長：伊藤靖彦）は、小型携帯機器に最適な、業界トップクラスの薄型MicroFETパッケージ製品を発表しました。多くのお客様の要望に応え、バッテリー充電やマルチ電源アプリケーション向けに、単一パッケージで効率、熱特性に優れた、Pch MOSFETとショットキーダイオードの複合デバイスを開発しました。

「FDFMA2P859T」は、従来のMOSFETと比較して優れた熱特性と低伝導損失特性を備え、かつ標準的なMicroFETパッケージ（厚さ0.8mm）よりも30%薄いパッケージで提供されます。厚さ0.55mmのこのパッケージは、最新のポータブル機器やウェアラブルな携帯電話・メディアプレーヤー・医療機器などの薄型アプリケーションに最適です。

FDFMA2P859Tに求められた特性は、小型であっても優れた熱特性を有すること、およびショットキーダイオードの漏れ電流を低く抑えること（1uA@ Vr=10V）でした。これらの項目は、リニアモードでのバッテリー充電やマルチ電源アプリケーションにおいて、パフォーマンスおよび効率を向上させるために重要です。

このFDFMA2P859Tは、効率・スペース・熱特性の業界ニーズにお応えする最新のMOSFETラインナップの一つです。

価格： US $0.39　(1,000 個購入時)

製品の各種資料はこちらをご覧ください：
データシート：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFMA2P859T.pdf

製品・会社情報について（ビデオ）：
http://www.fairchildsemi.com/video/index.html

製品情報について（ポッドキャスト）
http://fairchildsemi.com/podcast/index.html

ブログ
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