昇圧DC/DCコンバータ回路用ブーストスイッチを発表
高速スイッチング時に高い効率を実現

高効率の昇圧回路を可能にするブーストスィッチ「FDFME3N311ZT」
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2009年10月2日

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都千代田区、社長：伊藤靖彦）は、携帯電話や各種ポータブル機器、民生機器に適した、高効率の昇圧回路を可能にするブーストスィッチを発表しました。「FDFME3N311ZT」は、30VのN-Channel PowerTrench® MOSFETとショットキーダイオードを1つのパッケージに統合したもので、非常に小さい入力容量（55pF）と総ゲートチャージ（1nC）によって、昇圧回路の効率を大きく改善します。FDFME3N311ZTは、フェアチャイルド独自のPowerTrenchプロセス技術を用い、動特性を最適化しているため、スイッチング損失を低減することが可能です。また、ショットキーダイオードには低リーク電流のものを採用しており、効率の悪化を招くパッケージ温度の上昇を抑えています。FDFME3N311ZTは2個のディスクリート製品が小型（1.6mm×1.6mm）で薄型（0.55mm）のMicroFET™パッケージに統合され、従来の製品よりも36％小さくなっているので、省スペース設計の昇圧回路に最適です。

携帯電話のようなアプリケーションでは、一般的に液晶画面のバックライトには白色LEDが使用されており、順方向電流や輝度を均一にするため、このLEDは直列につながれています。FDFME3N311ZTは、30Vの耐圧を有するため、このような白色LEDの直列駆動に適しています。LEDの種類（およそ3-3.5Vの順電圧）と設計余裕度の兼ね合いによっては、7灯ないしは8灯のLEDを駆動できるため、この様な回路に最適なブーストスイッチです。

このブーストスィッチは、フェアチャイルドの幅広い耐圧（20V-1000V）と最先端パッケージで提供されるMOSFETのラインナップに新たに追加されました。フェアチャイルドのMOSFET製品は、今日の電源設計のあらゆる課題に対してソリューションを提供します。

価格： US $0.25　(1,000 個購入時)

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