超低オン抵抗（R_DS(ON)）の20V Pch MOSFET を発表、
1mm x 1mm WL-CSP パッケージでご提供

超低オン抵抗（R_DS(ON): -4.5V時75mΩ）20V Pch MOSFET「FDZ371PZ」
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2009年9月9日

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都千代田区、社長：伊藤靖彦）は、携帯電話、ポータブル機器、コンシューマー機器などに最適な、1mm x 1mm WL-CSPパッケージで提供される超低オン抵抗（R_DS(ON): -4.5V時75mΩ）20V Pch MOSFET「FDZ371PZ」を発表しました。この FDZ371PZ は、フェアチャイルド独自のPowerTrench® プロセス技術で設計されています。この技術により、極めて低いオン抵抗（R_DS(ON)）を実現し、伝導損失を最小に抑えることを可能にしました。このような低い損失により、FDZ371PZ は電力効率を改善し、ポータブル機器の電池寿命を延ばします。また、静電気による破壊からデバイスを保護するため、4.4kVの優れたESD保護特性も提供します。

FDZ371PZ が提供されるWL-CSPパッケージは、4端子、250µm径の鉛フリー・はんだボールを用いており、優れた電気的特性および熱抵抗特性を提供します。また、実装時のパッケージ高は、業界最薄クラスの0.4mm です。

このFDZ371PZ は、小型かつ薄型MOSFETの業界ニーズにお応えする最新MOSFET の総合ラインナップの一つで、高効率かつ優れたスイッチング特性を提供します。

価格：　US $0.30　（1,000個購入時）

製品の各種資料はこちらをご覧ください：
データシート：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDZ371PZ.pdf

製品・会社情報について（ビデオ）：
http://www.fairchildsemi.com/video/index.html

製品情報について（ポッドキャスト）
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ブログ
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