超低オン抵抗（R_DS(ON)）のP-ch MOSFET を発表
1mm x 1.5mm WL-CSPパッケージでご提供

シングル P-ch MOSFET「FDZ197PZ」
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2009年8月4日

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都千代田区、社長：伊藤靖彦）は、スマートフォン、携帯電話、ネットブック、医療用またはその他のポータブル機器向けに最適な、より高い電力効率および小型化を可能にするシングル P-ch MOSFET「FDZ197PZ」を発表しました。この FDZ197PZ は、VGS= -4.5V時、オン抵抗 64mΩで、従来のソリューションよりも15%低いオン抵抗を提供します。これにより電力効率の向上と、1mm x 1.5mm とパッケージが小型のため基板面積を削減することができます。WL-CSPパッケージは、従来のプラスティック・パッケージで提供されるMOSFETと比べ、優れたワット損と伝導損失特性を提供します。また、FDZ197PZ は、優れたESD特性（4kV）を提供し、ESD問題からデバイスを保護します。

この P-ch MOSFET には、より小型のパッケージで、より低いオン抵抗（R_{DS (ON)}）とより高い負荷電流を可能にするフェアチャイルドの最新  PowerTrench® MOSFET プロセス技術が用いられています。このWL-CSPパッケージは、6 x 300μm の鉛フリー（Pb-free）ソルダーボールで実装するので、他のWL-CSPピン配置に比べ、優れたオン抵抗と熱抵抗を提供します。また、実装時にわずか0.65mmという低さのパッケージを特長としているので、より薄型の設計を容易にします。

FDZ197PZ は、最新MOSFETの総合ラインナップの一つで、チャージャー、ロード・スイッチ、DC-DC、およびブースト・アプリケーション向けの小型・薄型・高性能という、MOSFETの業界ニーズにお応えします。

価格：　US $0.35　（1,000個購入時）

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データシート：
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