30V、Power56パッケージMOSFETで
オン抵抗1mΩ以下を実現

1mΩ以下の30V　MOSFET「FDMS7650」
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2009年9月17日

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都千代田区、社長：伊藤靖彦）は、サーバー、ブレードサーバー、及びルーター等のアプリケーションに最適な、1mΩ以下の30V　MOSFETを、初めてPower 56パッケージで実現しました。「FDMS7650」は、ロードスイッチやORリング回路に最適です。サーバーアプリケーションでは、負荷を分担するために複数の電源を並列に設置している場合に、このようなORリングFETが使用されます。この回路では、FETは常にオンしているため、伝導損失を抑え高い効率で電力を供給することが、サーバーシステム全体の効率向上に大きく影響します。FDMS7650は、Power56パッケージで始めて最大オン抵抗が1mΩ以下を実現（R_ds(on)MAX = 0.99mΩ）し、伝導損失を抑え、システム全体の高効率化に貢献します。この製品によって、全体のオン抵抗を同じにするために必要なFETの数は半分で済みます。単純な例として、通常用いられているMOSFET（R_ds(on)MAX = 2mΩ）の場合、倍の数量のFETが必要です。

フェアチャイルドの最新のPowerTrench® MOSFETテクノロジーにより、FDMS7650はこの画期的なオン抵抗を実現しました。このテクノロジーによって、低オン抵抗、低ゲートチャージ、低ミラーチャージを実現し、伝導損失とスイッチング損失を低減させることにより、システム全体の効率を向上させることが可能です。

このパワーMOSFETは、フェアチャイルドの電源向けMOSFETの充実したラインナップの一つです。フェアチャイルドの30V デュアルNチャンネルMOSFET、FDMC8200やFDMS9600 が良い例です。　「FDMC8200」はハイサイドで24mΩ、ローサイドで9.5mΩのオン抵抗を有するPower33デュアルMOSFETで、DC-DCアプリケーションの効率を改善します。また、「FDMS9600」は同期整流用に最適化されたハイサイドMOSFET（低スイッチング損失）とローサイドMOSFET（低伝導損失）で構成されています。

価格： US $0.95 (1,000 個購入時)

製品の各種資料はこちらをご覧ください：
データシート：
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMS7650.html

製品・会社情報について（ビデオ）：
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製品情報について（ポッドキャスト）
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